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零件图片(仅供参考)

规格参数
HMC435MS8GE是亚德诺半导体(ADI)推出的一款高性能吸收式SPDT射频开关芯片,工作频率范围覆盖DC至4GHz。该器件在4GHz测试频率下,提供35dB的高隔离度与仅1.5dB的低插入损耗,并具备31dBm的P1dB和45dBm的IIP3,确保了出色的线性度与处理高功率信号的能力。
其采用5V单电源供电,内置控制逻辑,并封装于紧凑的8-MSOP中,易于集成。这些特性使其成为无线基础设施、测试设备及军用射频系统中进行高可靠性信号路径切换的理想选择。

基本参数:
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