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HMC435MS8GE是亚德诺半导体（ADI）推出的一款高性能吸收式SPDT射频开关芯片，工作频率范围覆盖DC至4GHz。该器件在4GHz测试频率下，提供35dB的高隔离度与仅1.5dB的低插入损耗，并具备31dBm的P1dB和45dBm的IIP3，确保了出色的线性度与处理高功率信号的能力。

其采用5V单电源供电，内置控制逻辑，并封装于紧凑的8-MSOP中，易于集成。这些特性使其成为无线基础设施、测试设备及军用射频系统中进行高可靠性信号路径切换的理想选择。

• 型号:HMC435MS8GE
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:8-MSOP-EP
• 类目:射频和无线 > 射频开关
• 描述:IC RF SWITCH SPDT 4GHZ 8MSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 射频类型:通用
• 拓扑:吸收
• 电路:SPDT
• 频率范围:0Hz ~ 4GHz
• 隔离:35dB
• 插损:1.5dB
• 测试频率:4GHz
• P1dB:31dBm
• IIP3:45dBm
• 特性:-
• 阻抗:50 欧姆
• 电压 - 供电:5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）焊盘
• 供应商器件封装:8-MSOP-EP
• HMC435MS8GE，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。