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HMC435AMS8GETR是ADI公司推出的一款高性能单刀双掷（SPDT）射频开关，采用8-MSOP紧凑封装。该器件工作频率覆盖直流至4GHz，在2.5GHz下具备0.8dB的低插入损耗和48dB的高隔离度，能有效维持信号完整性并防止通道串扰。

其射频线性度表现卓越，1dB压缩点达30dBm，输入三阶交调截点高达53dBm，确保了在大信号条件下的稳定工作与低失真。芯片采用单5V供电，兼容标准控制逻辑，50欧姆阻抗便于系统集成，工作温度范围覆盖-40°C至85°C，适用于要求严苛的工业环境。

• 型号:HMC435AMS8GETR
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:8-MSOP-EP
• 类目:射频和无线 > 射频开关
• 描述:IC RF SWITCH SPDT 4GHZ 8MSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 射频类型:通用
• 拓扑:-
• 电路:SPDT
• 频率范围:0Hz ~ 4GHz
• 隔离:48dB
• 插损:0.8dB
• 测试频率:2.5GHz
• P1dB:30dBm
• IIP3:53dBm
• 特性:-
• 阻抗:50 欧姆
• 电压 - 供电:5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）焊盘
• 供应商器件封装:8-MSOP-EP
• HMC435AMS8GETR，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。