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HMC427LP3TR是亚德诺半导体（ADI）推出的一款高性能吸收式射频开关，工作频率覆盖0Hz至8GHz。该器件在2GHz下具备优异的射频性能，包括仅1.2dB的低插入损耗和高达42dB的高隔离度，能有效维持信号强度并抑制通道串扰。

其线性度指标突出，1dB压缩点（P1dB）为26dBm，三阶交调截点（IIP3）达到43dBm，确保了在高功率输入下的低失真操作。芯片采用5V单电源供电和标准的50欧姆阻抗设计，并封装于紧凑的16-VFQFN封装中，适用于对性能、尺寸和可靠性有严格要求的宽带射频系统。

• 型号:HMC427LP3TR
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:16-QFN（3x3）
• 类目:射频和无线 > 射频开关
• 描述:IC RF SWITCH 8GHZ 16QFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 射频类型:VSAT
• 拓扑:吸收
• 电路:-
• 频率范围:0Hz ~ 8GHz
• 隔离:42dB
• 插损:1.2dB
• 测试频率:2GHz
• P1dB:26dBm
• IIP3:43dBm
• 特性:-
• 阻抗:50 欧姆
• 电压 - 供电:5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:16-VFQFN 焊盘
• 供应商器件封装:16-QFN（3x3）
• HMC427LP3TR，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。