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零件图片(仅供参考)

规格参数
HMC427LP3TR是亚德诺半导体(ADI)推出的一款高性能吸收式射频开关,工作频率覆盖0Hz至8GHz。该器件在2GHz下具备优异的射频性能,包括仅1.2dB的低插入损耗和高达42dB的高隔离度,能有效维持信号强度并抑制通道串扰。
其线性度指标突出,1dB压缩点(P1dB)为26dBm,三阶交调截点(IIP3)达到43dBm,确保了在高功率输入下的低失真操作。芯片采用5V单电源供电和标准的50欧姆阻抗设计,并封装于紧凑的16-VFQFN封装中,适用于对性能、尺寸和可靠性有严格要求的宽带射频系统。

基本参数:
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