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HMC349AMS8GE 零件图片(仅供参考)

HMC349AMS8GE
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HMC349AMS8GE 规格参数

HMC349AMS8GE是ADI公司推出的一款高性能、宽带SPDT射频开关芯片。其设计覆盖DC至4GHz的宽广频率范围,在3GHz下具备50dB的高隔离度和仅1.2dB的低插入损耗,核心优势在于卓越的线性度,其IIP3典型值高达53dBm,P1dB为34dBm,能够高效处理高功率信号而引入极低的失真。

该器件采用单5V电源供电,控制逻辑简便,并集成于紧凑的8-MSOP封装内。其50欧姆的标准阻抗和宽工作温度范围(-40°C至85°C)使其能够稳定集成于各种严苛的射频系统中,是无线基础设施、测试测量设备以及航空航天与国防应用中实现可靠信号路径切换的理想选择。

  • 型号:HMC349AMS8GE
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:8-MSOP-EP
  • 类目:射频和无线 > 射频开关
  • 描述:IC RF SWITCH SPDT 4GHZ 8MSG
  • 系列:-
  • 包装:带
  • 产品状态:在售
  • 射频类型:通用
  • 拓扑:-
  • 电路:SPDT
  • 频率范围:0Hz ~ 4GHz
  • 隔离:50dB
  • 插损:1.2dB
  • 测试频率:3GHz
  • P1dB:34dBm
  • IIP3:53dBm(最小)
  • 特性:-
  • 阻抗:50 欧姆
  • 电压 - 供电:5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)焊盘
  • 供应商器件封装:8-MSOP-EP
  • HMC349AMS8GE,ADI(亚德诺)产品一站式供应商。
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HMC349AMS8GE 基本参数:

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