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HMC347ALP3E是ADI公司基于GaAs pHEMT工艺制造的一款宽带SPDT吸收式射频开关。该器件覆盖直流至14GHz的工作频率，在14GHz下提供38dB的高隔离度和仅1.9dB的低插入损耗，其吸收式拓扑确保了优异的端口匹配与系统稳定性。

该芯片具备卓越的线性度性能，其+23dBm的P1dB和高达+43dBm的IIP3使其能够处理高功率信号并保持极低的失真水平。采用3mm x 3mm QFN封装，并支持CMOS/TTL逻辑控制，HMC347ALP3E专为VSAT、点对点无线电、测试仪器及国防电子等要求严苛的高频应用而设计。

• 型号:HMC347ALP3E
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:16-QFN（3x3）
• 类目:射频和无线 > 射频开关
• 描述:IC RF SWITCH SPDT 14GHZ 16QFN
• 系列:-
• 包装:带
• 产品状态:在售
• 射频类型:VSAT
• 拓扑:吸收
• 电路:SPDT
• 频率范围:0Hz ~ 14GHz
• 隔离:38dB
• 插损:1.9dB
• 测试频率:14GHz
• P1dB:23dBm
• IIP3:43dBm
• 特性:-
• 阻抗:50 欧姆
• 电压 - 供电:-
• 工作温度:-55°C ~ 85°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:16-VFQFN 焊盘
• 供应商器件封装:16-QFN（3x3）
• HMC347ALP3E，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。