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HMC345LP3TR是一款基于GaAs pHEMT工艺的SP4T吸收式射频开关，工作频率覆盖DC至8GHz。该器件在8GHz下提供32dB的高隔离度和2.4dB的低插入损耗，有效保障了多通道射频系统的信号纯净度与传输效率。

其优异的线性度指标，包括21dBm的P1dB和最小45dBm的IIP3，使其能够处理高功率信号，同时抑制非线性失真产物。芯片采用5V单电源供电，具备CMOS/TTL兼容控制逻辑，并采用16引脚QFN封装，适用于对尺寸、性能和可靠性有严格要求的测试设备、通信基础设施及航空航天等领域的射频信号路径管理应用。

• 型号:HMC345LP3TR
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:16-QFN（3x3）
• 类目:射频和无线 > 射频开关
• 描述:IC RF SWITCH SP4T 8GHZ 16QFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 射频类型:通用
• 拓扑:吸收
• 电路:SP4T
• 频率范围:0Hz ~ 8GHz
• 隔离:32dB
• 插损:2.4dB
• 测试频率:8GHz
• P1dB:21dBm
• IIP3:45dBm（最小）
• 特性:-
• 阻抗:50 欧姆，75 欧姆
• 电压 - 供电:5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:16-VFQFN 焊盘
• 供应商器件封装:16-QFN（3x3）
• HMC345LP3TR，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。