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零件图片(仅供参考)

规格参数
HMC345LP3TR是一款基于GaAs pHEMT工艺的SP4T吸收式射频开关,工作频率覆盖DC至8GHz。该器件在8GHz下提供32dB的高隔离度和2.4dB的低插入损耗,有效保障了多通道射频系统的信号纯净度与传输效率。
其优异的线性度指标,包括21dBm的P1dB和最小45dBm的IIP3,使其能够处理高功率信号,同时抑制非线性失真产物。芯片采用5V单电源供电,具备CMOS/TTL兼容控制逻辑,并采用16引脚QFN封装,适用于对尺寸、性能和可靠性有严格要求的测试设备、通信基础设施及航空航天等领域的射频信号路径管理应用。

基本参数:
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