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HMC345LP3E是ADI公司推出的一款高性能吸收式SP4T射频开关，采用GaAs pHEMT工艺，封装于紧凑的16-VFQFN中。其核心优势在于覆盖直流至8GHz的极宽工作频带，并在全频带内提供32dB的高隔离度和仅2.4dB的低插入损耗，确保了信号路径切换的纯净与高效。

该器件具备优异的功率处理能力和线性度，其1dB压缩点达21dBm，输入三阶交调截点高达45dBm，适用于高动态范围要求的应用。支持50欧姆与75欧姆双阻抗系统，采用单5V电源供电，工作温度范围为-40°C至85°C，满足工业级环境下的可靠性需求，主要面向测试测量、军用电子及宽带通信等专业领域。

• 型号:HMC345LP3E
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:16-QFN（3x3）
• 类目:射频和无线 > 射频开关
• 描述:IC RF SWITCH SP4T 8GHZ 16QFN
• 系列:-
• 包装:带
• 产品状态:停产
• 射频类型:通用
• 拓扑:吸收
• 电路:SP4T
• 频率范围:0Hz ~ 8GHz
• 隔离:32dB
• 插损:2.4dB
• 测试频率:8GHz
• P1dB:21dBm
• IIP3:45dBm
• 特性:-
• 阻抗:50 欧姆，75 欧姆
• 电压 - 供电:5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:16-VFQFN 焊盘
• 供应商器件封装:16-QFN（3x3）
• HMC345LP3E，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。