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HMC336MS8GETR是一款由Analog Devices生产的SPDT吸收式射频开关，工作频率覆盖直流至6GHz。该芯片在6GHz频率下具备优异的射频性能，其插入损耗低至1.6dB，端口隔离度高达42dB，能够有效保证主信号路径的传输效率并抑制通道间干扰。

器件支持5V单电源供电，采用TTL/CMOS兼容控制，便于集成。其线性度指标突出，IIP3为42dBm，P1dB为25dBm，具备良好的大信号处理能力。该开关提供50欧姆与75欧姆两种阻抗选项，采用8-MSOP紧凑型封装，工作温度范围为-40°C至85°C，适用于对尺寸、性能和可靠性有严格要求的通用射频信号切换应用。

• 型号:HMC336MS8GETR
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:8-MSOPG
• 类目:射频和无线 > 射频开关
• 描述:IC RF SWITCH SPDT 6GHZ 8MSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 射频类型:通用
• 拓扑:吸收
• 电路:SPDT
• 频率范围:0Hz ~ 6GHz
• 隔离:42dB
• 插损:1.6dB
• 测试频率:6GHz
• P1dB:25dBm
• IIP3:42dBm
• 特性:-
• 阻抗:50 欧姆，75 欧姆
• 电压 - 供电:5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）焊盘
• 供应商器件封装:8-MSOPG
• HMC336MS8GETR，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。