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HMC336MS8GE是ADI公司推出的一款宽带吸收式SPDT射频开关，覆盖直流至6GHz的广阔频率范围。该器件在6GHz时具备42dB的高隔离度和仅1.6dB的低插入损耗，能有效保证射频通道间的信号分离度并最小化信号衰减。

其线性度性能突出，IIP3高达42dBm，P1dB为25dBm，适用于对信号纯净度要求严苛的大功率应用环境。芯片采用单5V供电，提供50/75欧姆阻抗选项，并集成于紧凑的8-MSOP封装内，便于高密度PCB布局。这些特性使其成为测试设备、通信基站等高端射频系统中实现可靠信号路由的理想选择。

• 型号:HMC336MS8GE
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:8-MSOPG
• 类目:射频和无线 > 射频开关
• 描述:IC RF SWITCH SPDT 6GHZ 8MSOP
• 系列:-
• 包装:带
• 产品状态:停产
• 射频类型:通用
• 拓扑:吸收
• 电路:SPDT
• 频率范围:0Hz ~ 6GHz
• 隔离:42dB
• 插损:1.6dB
• 测试频率:6GHz
• P1dB:25dBm
• IIP3:42dBm
• 特性:-
• 阻抗:50 欧姆，75 欧姆
• 电压 - 供电:5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）焊盘
• 供应商器件封装:8-MSOPG
• HMC336MS8GE，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。