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HMC322LP4TR是ADI（Analog Devices）推出的一款高性能吸收式SP8T（单刀八掷）射频开关芯片。该器件采用GaAs pHEMT工艺，工作频率覆盖DC至8GHz，在8GHz测试频率下提供2.5dB的典型插入损耗和25dB的隔离度，为宽带多通道信号路由提供了基础。

其核心优势在于卓越的线性度与功率处理能力，1dB压缩点（P1dB）为23dBm，三阶交调截点（IIP3）高达40dBm，确保在大信号条件下仍能保持低失真性能。芯片采用24引脚QFN封装，集成控制逻辑，端口阻抗为50欧姆，工作温度范围为-40°C至85°C，适用于对可靠性和性能有严苛要求的工业与国防应用。

• 型号:HMC322LP4TR
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:24-QFN（4x4）
• 类目:射频和无线 > 射频开关
• 描述:IC RF SWITCH SP8T 8GHZ 24QFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 射频类型:-
• 拓扑:吸收
• 电路:SP8T
• 频率范围:0Hz ~ 8GHz
• 隔离:25dB
• 插损:2.5dB
• 测试频率:8GHz
• P1dB:23dBm
• IIP3:40dBm
• 特性:-
• 阻抗:50 欧姆
• 电压 - 供电:-
• 工作温度:-40°C ~ 85°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:24-VFQFN 焊盘
• 供应商器件封装:24-QFN（4x4）
• HMC322LP4TR，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。