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HMC284MS8GE是亚德诺半导体（ADI）推出的一款高性能吸收式SPDT射频开关芯片。该器件覆盖DC至3.5GHz的宽频率范围，在3.5GHz下提供仅0.7dB的低插入损耗和高达33dB的优异通道隔离度，确保信号路径切换的高效与纯净。

其线性度表现突出，具备24dBm的P1dB和48dBm的IIP3，能够从容处理高功率信号，有效抑制互调失真。芯片采用8-MSOP紧凑封装，工作温度范围为-40°C至85°C，是测试测量、无线通信及各类射频系统中实现高可靠性信号路由与切换的理想选择。

• 型号:HMC284MS8GE
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:8-MSOP-EP
• 类目:射频和无线 > 射频开关
• 描述:IC RF SWITCH SPDT 3.5GHZ 8MSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 射频类型:通用
• 拓扑:吸收
• 电路:SPDT
• 频率范围:0Hz ~ 3.5GHz
• 隔离:33dB
• 插损:0.7dB
• 测试频率:3.5GHz
• P1dB:24dBm
• IIP3:48dBm
• 特性:-
• 阻抗:50 欧姆
• 电压 - 供电:-
• 工作温度:-40°C ~ 85°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）焊盘
• 供应商器件封装:8-MSOP-EP
• HMC284MS8GE，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。