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HMC284AMS8GE是亚德诺半导体（ADI）推出的一款高性能吸收式单刀双掷（SPDT）射频开关芯片。该器件覆盖从直流（0Hz）至3.5GHz的宽广频率范围，在3.5GHz下实现了40dB的高隔离度与仅0.7dB的低插入损耗，确保信号路径切换时的优异性能。

其核心优势在于卓越的线性度与功率处理能力，提供29dBm的P1dB和最小50dBm的IIP3，能够有效抑制互调失真，适用于高动态范围应用。芯片采用紧凑的8-MSOP封装，工作温度范围为-40°C至85°C，主要面向手机、ISM及PCS等领域的射频信号路由与切换需求。

• 型号:HMC284AMS8GE
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:8-MSOPG
• 类目:射频和无线 > 射频开关
• 描述:IC RF SWITCH SPDT 3.5GHZ 8MSOP
• 系列:-
• 包装:带
• 产品状态:在售
• 射频类型:手机，ISM，PCS
• 拓扑:吸收
• 电路:SPDT
• 频率范围:0Hz ~ 3.5GHz
• 隔离:40dB
• 插损:0.7dB
• 测试频率:3.5GHz
• P1dB:29dBm
• IIP3:50dBm（最小）
• 特性:-
• 阻抗:50 欧姆
• 电压 - 供电:-
• 工作温度:-40°C ~ 85°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）焊盘
• 供应商器件封装:8-MSOPG
• HMC284AMS8GE，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。