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HMC276LP4E是ADI推出的一款高性能吸收式射频开关，覆盖200MHz至3GHz的宽频率范围。该器件在3GHz测试频率下，能提供最小35dB的高端口隔离度，并保持仅6dB的低插入损耗，有效保障了信号路径的纯净度与传输效率。

其核心优势在于强大的线性度与功率处理能力，输入1dB压缩点（P1dB）高达26dBm，适用于存在较大射频功率的应用环境。芯片采用单5V供电，兼容50欧姆和75欧姆系统阻抗，并具备工业级工作温度范围（-40°C至85°C），集成于紧凑的24-QFN封装中，为手机、CATV等领域的射频信号路由与切换提供了一个高度集成的解决方案。

• 型号:HMC276LP4E
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:24-QFN（4x4）
• 类目:射频和无线 > 射频开关
• 描述:IC RF SWITCH 3GHZ 24QFN
• 系列:-
• 包装:带
• 产品状态:停产
• 射频类型:手机，CATV
• 拓扑:吸收
• 电路:-
• 频率范围:200MHz ~ 3GHz
• 隔离:35dB（最小）
• 插损:6dB
• 测试频率:3GHz
• P1dB:26dBm
• IIP3:-
• 特性:-
• 阻抗:50 欧姆，75 欧姆
• 电压 - 供电:5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:24-VFQFN 焊盘
• 供应商器件封装:24-QFN（4x4）
• HMC276LP4E，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。