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零件图片(仅供参考)
HMC276LP4E
规格参数

HMC276LP4E是ADI推出的一款高性能吸收式射频开关,覆盖200MHz至3GHz的宽频率范围。该器件在3GHz测试频率下,能提供最小35dB的高端口隔离度,并保持仅6dB的低插入损耗,有效保障了信号路径的纯净度与传输效率。

其核心优势在于强大的线性度与功率处理能力,输入1dB压缩点(P1dB)高达26dBm,适用于存在较大射频功率的应用环境。芯片采用单5V供电,兼容50欧姆和75欧姆系统阻抗,并具备工业级工作温度范围(-40°C至85°C),集成于紧凑的24-QFN封装中,为手机、CATV等领域的射频信号路由与切换提供了一个高度集成的解决方案。

  • 制造商产品型号:HMC276LP4E
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC RF SWITCH 3GHZ 24QFN
  • 系列:射频开关
  • 零件状态:停产
  • 射频类型:手机,CATV
  • 拓扑:吸收
  • 电路:-
  • 频率范围:200MHz ~ 3GHz
  • 隔离:35dB(最小)
  • 插损:6dB
  • 测试频率:3GHz
  • P1dB:26dBm
  • IIP3:-
  • 特性:-
  • 阻抗:50 欧姆,75 欧姆
  • 电压-供电:5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 封装:24-VFQFN
  • HMC276LP4E,ADI(亚德诺)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:HMC276LP4E
  • 原始制造厂商:ADI(ANALOG DEVICES,亚德诺半导体)
  • 技术标准参数:IC RF SWITCH 3GHZ 24QFN
  • 产品应用分类:射频开关
  • 点击此处查询HMC276LP4E的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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