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HMC258LM3TR 零件图片(仅供参考)

HMC258LM3TR
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HMC258LM3TR 规格参数

HMC258LM3TR是亚德诺半导体(ADI)推出的一款表面贴装次谐波射频混频器芯片,采用6-TQFN陶瓷封装。该器件工作于Ku波段,射频频率范围覆盖14GHz至20GHz,专为VSAT等卫星通信应用优化。

其核心优势在于采用次谐波混频架构,允许使用射频频率一半的本振信号,降低了对高频本振源的设计难度与成本。在典型+5V单电源供电、消耗50mA电流的条件下,它能提供10dB的噪声系数,确保了接收链路良好的信号灵敏度。这款高性能混频器适用于要求高频、高集成度的射频前端设计。

  • 型号:HMC258LM3TR
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:6-SMT(5.08x5.08)
  • 类目:射频和无线 > 射频混频器
  • 描述:IC MIXER SUB-HARMONIC CERAMIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 射频类型:VSAT
  • 频率:14GHz ~ 20GHz
  • 混频器数:1
  • 增益:-
  • 噪声系数:10dB
  • 辅助属性:-
  • 电流 - 供电:50mA
  • 电压 - 供电:5V
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:6-TQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:6-SMT(5.08x5.08)
  • HMC258LM3TR,ADI(亚德诺)产品一站式供应商。
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HMC258LM3TR 基本参数:

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