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HMC258LC3BTR 零件图片(仅供参考)

HMC258LC3BTR
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HMC258LC3BTR 规格参数

HMC258LC3BTR 是亚德诺半导体推出的一款MMIC次谐波混频器,采用表面贴装封装,专为14.5GHz至19.5GHz的Ku波段VSAT及微波射频系统设计。其核心价值在于利用次谐波混频技术,仅需约一半射频频率的本振信号即可完成频率转换,显著降低了对高频本振源的性能要求和系统设计复杂度。

该器件在指定频段内提供10dB的典型噪声系数,确保了接收通道的良好灵敏度。它采用单+5V电源供电,功耗典型值为210mW(42mA),集成度高,外围电路简洁。其3mm x 3mm的紧凑型QFN封装适合高密度PCB布局,为工程师在有限的板级空间内实现高性能的上下变频功能提供了可靠的解决方案。

  • 型号:HMC258LC3BTR
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:12-CSMT(3x3)
  • 类目:射频和无线 > 射频混频器
  • 描述:IC MIXER SUB-HARMONIC 12SMD
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 射频类型:VSAT
  • 频率:14.5GHz ~ 19.5GHz
  • 混频器数:1
  • 增益:-
  • 噪声系数:10dB
  • 辅助属性:-
  • 电流 - 供电:42mA
  • 电压 - 供电:5V
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:12-VFCQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:12-CSMT(3x3)
  • HMC258LC3BTR,ADI(亚德诺)产品一站式供应商。
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HMC258LC3BTR 基本参数:

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