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HMC258LC3BTR-R5 零件图片(仅供参考)

HMC258LC3BTR-R5
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HMC258LC3BTR-R5 规格参数

HMC258LC3BTR-R5是ADI(Analog Devices)推出的一款高性能基波射频混频器MMIC,采用表面贴装型12-VFCQFN封装。该器件设计工作在14.5GHz至19.5GHz的Ku波段,专为VSAT等高频卫星通信应用优化。

其核心优势在于优异的射频性能,典型噪声系数为10dB,并具备出色的单边带转换损耗特性。器件采用+5V单电源供电,功耗较低,集成LO缓冲放大器以简化外部电路设计。这些特性使其成为点对点无线电、雷达等要求严苛的微波系统的理想上变频或下变频解决方案。

  • 型号:HMC258LC3BTR-R5
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:12-CSMT(3x3)
  • 类目:射频和无线 > 射频混频器
  • 描述:IC MIXER FUNDAMENTAL 12SMD
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 射频类型:VSAT
  • 频率:14.5GHz ~ 19.5GHz
  • 混频器数:1
  • 增益:-
  • 噪声系数:10dB
  • 辅助属性:-
  • 电流 - 供电:42mA
  • 电压 - 供电:5V
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:12-VFCQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:12-CSMT(3x3)
  • HMC258LC3BTR-R5,ADI(亚德诺)产品一站式供应商。
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HMC258LC3BTR-R5 基本参数:

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