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HMC253QS24E是ADI公司基于GaAs pHEMT工艺制造的一款吸收式SP8T射频开关。该器件覆盖DC至2.5GHz的宽频带，在2.5GHz下具备28dB的高隔离度与仅1.8dB的低插入损耗，确保了信号路径的高效与纯净。

其核心优势在于卓越的线性度表现，1dB压缩点（P1dB）达23dBm，三阶交调截点（IIP3）高达43dBm，能够处理较高功率的射频信号同时保持极低的失真。芯片采用5V单电源供电和工业级温度范围（-40°C至85°C），并集成于紧凑的24引脚QSOP封装中，为测试测量、无线通信基础设施等需要多通道精密信号路由的应用提供了高可靠性的集成解决方案。

• 型号:HMC253QS24E
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:24-QSOP
• 类目:射频和无线 > 射频开关
• 描述:IC RF SWITCH SP8T 2.5GHZ 24QSOP
• 系列:-
• 包装:带
• 产品状态:停产
• 射频类型:通用
• 拓扑:吸收
• 电路:SP8T
• 频率范围:0Hz ~ 2.5GHz
• 隔离:28dB
• 插损:1.8dB
• 测试频率:2.5GHz
• P1dB:23dBm
• IIP3:43dBm
• 特性:-
• 阻抗:50 欧姆
• 电压 - 供电:5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:24-SSOP（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:24-QSOP
• HMC253QS24E，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。