ADI代理商全球库存查询及产品技术资料下载
我们为全球各个行业提供ADI（亚德诺） HMC253QS24E及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。
零件图片（仅供参考）
规格参数
HMC253QS24E是ADI公司基于GaAs pHEMT工艺制造的一款吸收式SP8T射频开关。该器件覆盖DC至2.5GHz的宽频带，在2.5GHz下具备28dB的高隔离度与仅1.8dB的低插入损耗，确保了信号路径的高效与纯净。
其核心优势在于卓越的线性度表现，1dB压缩点（P1dB）达23dBm，三阶交调截点（IIP3）高达43dBm，能够处理较高功率的射频信号同时保持极低的失真。芯片采用5V单电源供电和工业级温度范围（-40°C至85°C），并集成于紧凑的24引脚QSOP封装中，为测试测量、无线通信基础设施等需要多通道精密信号路由的应用提供了高可靠性的集成解决方案。
基本参数：
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