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HMC241ATCPZ-EP-R7是ADI公司推出的一款增强型（EP）GaAs MMIC单刀四掷（SP4T）吸收式射频开关。该器件设计用于100MHz至4GHz的宽频率范围，在4GHz下实现了优异的射频性能，包括低至1.2dB的插入损耗和高达32dB的通道隔离度，确保了信号路径的高效与纯净。

其高线性度特性显著，1dB压缩点（P1dB）为29dBm，输入三阶交调截点（IIP3）达47dBm，能够处理较高功率的信号而引入极小的失真。器件支持3V至5V单电源供电，采用50欧姆标准阻抗，并封装在紧凑的16-VFQFN（CSP）中，工作温度范围为-55°C至125°C，专为要求严苛的工业、军事和航空航天应用而优化。

• 型号:HMC241ATCPZ-EP-R7
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:16-LFCSP（3x3）
• 类目:射频和无线 > 射频开关
• 描述:IC RF SWITCH SP4T 4GHZ 16LFCSP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 射频类型:手机，4G
• 拓扑:吸收
• 电路:SP4T
• 频率范围:100MHz ~ 4GHz
• 隔离:32dB
• 插损:1.2dB
• 测试频率:4GHz
• P1dB:29dBm
• IIP3:47dBm
• 特性:-
• 阻抗:50 欧姆
• 电压 - 供电:3V ~ 5V
• 工作温度:-55°C ~ 125°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:16-VFQFN 焊盘，CSP
• 供应商器件封装:16-LFCSP（3x3）
• HMC241ATCPZ-EP-R7，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。