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零件图片(仅供参考)
HMC241ATCPZ-EP-PT
规格参数

HMC241ATCPZ-EP-PT是ADI(Analog Devices)推出的一款增强性能(EP)等级的GaAs MMIC SP4T吸收式射频开关。该器件专为100MHz至4GHz的宽频率范围优化设计,在4GHz时具备低至1.2dB的插入损耗和高达32dB的端口隔离度,有效保证了信号路径的效率与纯净度。

其核心优势在于卓越的功率处理能力和线性度,P1dB为29dBm,IIP3高达47dBm,使其能够从容应对高功率射频场景,显著降低系统互调失真。器件采用3V至5V单电源供电,并集成在紧凑的16引脚VFQFN(CSP)封装中,工作温度范围为-55°C至125°C,为4G通信、测试设备及高可靠性应用提供了高性能、高集成度的射频切换解决方案。

  • 制造商产品型号:HMC241ATCPZ-EP-PT
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:EP GAAS MMIC SP4T
  • 系列:射频开关
  • 零件状态:有源
  • 射频类型:手机,4G
  • 拓扑:吸收
  • 电路:SP4T
  • 频率范围:100MHz ~ 4GHz
  • 隔离:32dB
  • 插损:1.2dB
  • 测试频率:4GHz
  • P1dB:29dBm
  • IIP3:47dBm
  • 特性:-
  • 阻抗:50 欧姆
  • 电压-供电:3V ~ 5V
  • 工作温度:-55°C ~ 125°C
  • 封装:16-VFQFN,CSP
  • HMC241ATCPZ-EP-PT,ADI(亚德诺)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:HMC241ATCPZ-EP-PT
  • 原始制造厂商:ADI(ANALOG DEVICES,亚德诺半导体)
  • 技术标准参数:EP GAAS MMIC SP4T
  • 产品应用分类:射频开关
  • 点击此处查询HMC241ATCPZ-EP-PT的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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