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HMC234C8TR 零件图片(仅供参考)

HMC234C8TR
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HMC234C8TR 规格参数

HMC234C8TR是ADI推出的一款高性能SPDT吸收式射频开关芯片,工作频率范围覆盖0Hz至8GHz。该器件在6GHz测试频率下,能提供40dB的高隔离度和仅1.6dB的低插入损耗,确保信号路径切换的纯净与高效。

其核心优势在于出色的功率处理能力和线性度,1dB压缩点(P1dB)为26dBm,三阶截点(IIP3)高达46dBm,使其能够在大信号条件下保持极低的失真。采用8引脚CSOIC封装和50欧姆标准阻抗,便于系统集成,主要面向VSAT卫星通信、测试仪器及高性能射频系统等对开关性能要求苛刻的应用场景。

  • 型号:HMC234C8TR
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:射频和无线 > 射频开关
  • 描述:IC RF SWITCH SPDT 8GHZ 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 射频类型:VSAT
  • 拓扑:吸收
  • 电路:SPDT
  • 频率范围:0Hz ~ 8GHz
  • 隔离:40dB
  • 插损:1.6dB
  • 测试频率:6GHz
  • P1dB:26dBm
  • IIP3:46dBm
  • 特性:-
  • 阻抗:50 欧姆
  • 电压 - 供电:-
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • HMC234C8TR,ADI(亚德诺)产品一站式供应商。
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HMC234C8TR 基本参数:

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