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零件图片(仅供参考)
HMC232G7TR
规格参数

HMC232G7TR是亚德诺半导体推出的一款直流至6GHz宽频带单刀双掷(SPDT)吸收式射频开关,采用7引脚SMD封装。该器件基于GaAs pHEMT工艺,专为要求高线性度和高功率处理能力的应用而设计。

其核心优势在于卓越的线性性能,在标准条件下提供27dBm的IP1dB和49dBm的IIP3,确保在大信号环境下极低的失真。所有端口内置50欧姆匹配,并采用吸收式拓扑,有效提升了系统稳定性。这些特性使其非常适用于VSAT卫星通信、测试测量等对射频性能有严苛要求的领域。

  • 制造商产品型号:HMC232G7TR
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC RF SWITCH SPDT 6GHZ 7SMD
  • 系列:射频开关
  • 零件状态:停产
  • 射频类型:VSAT
  • 拓扑:吸收
  • 电路:SPDT
  • 频率范围:-
  • 隔离:-
  • 插损:-
  • 测试频率:-
  • P1dB:27dBm(标准)IP1dB
  • IIP3:49dBm(标准)
  • 特性:-
  • 阻抗:50 欧姆
  • 电压-供电:-
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 封装:7-SMD,鸥翼
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    基本参数:
  • 电子零件型号:HMC232G7TR
  • 原始制造厂商:ADI(ANALOG DEVICES,亚德诺半导体)
  • 技术标准参数:IC RF SWITCH SPDT 6GHZ 7SMD
  • 产品应用分类:射频开关
  • 点击此处查询HMC232G7TR的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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