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HMC216MS8E 零件图片(仅供参考)

HMC216MS8E
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HMC216MS8E 规格参数

HMC216MS8E是ADI公司推出的一款针对1.3GHz至2.5GHz频段优化的单通道有源FET混频器,采用8-MSOP表面贴装封装。该器件专为WLAN等无线通信应用设计,具备升/降频器功能,可在宽频带内实现射频信号的高效变频。

其核心性能优势包括9dB的典型噪声系数,有助于维持接收链路的灵敏度,以及出色的线性度与端口隔离度,能有效抑制变频过程中产生的杂散信号。紧凑的封装形式使其易于集成到高密度的射频前端模块中,简化了系统布局。

  • 型号:HMC216MS8E
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:8-MSOP
  • 类目:射频和无线 > 射频混频器
  • 描述:IC FET MIXER 1.3-2.5GHZ 8-MSOP
  • 系列:-
  • 包装:带
  • 产品状态:停产
  • 射频类型:WLAN
  • 频率:1.3GHz ~ 2.5GHz
  • 混频器数:1
  • 增益:-
  • 噪声系数:9dB
  • 辅助属性:升/降频器
  • 电流 - 供电:-
  • 电压 - 供电:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-MSOP
  • HMC216MS8E,ADI(亚德诺)产品一站式供应商。
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HMC216MS8E 基本参数:

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