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HMC199AMS8ETR是亚德诺半导体（ADI）推出的一款高性能单刀双掷（SPDT）射频开关集成电路，工作频率覆盖直流至2.5GHz。该器件基于GaAs pHEMT工艺，在2GHz至2.5GHz频段内提供低至0.6dB的插入损耗和高达25dB的端口隔离度，有效保障了信号传输效率并抑制通道串扰。

其核心优势在于卓越的线性度与功率处理能力，具备28dBm的P1dB和55dBm的IIP3，能够在大功率输入下保持低失真性能。器件采用3V/5V单电源供电，TTL/CMOS兼容控制，并封装于紧凑的8-MSOP中，工作温度范围为-40°C至85°C。这些特性使其成为ISM频段应用、测试设备及宽带无线系统中实现高效信号路径切换的可靠解决方案。

• 型号:HMC199AMS8ETR
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:8-MSOP
• 类目:射频和无线 > 射频开关
• 描述:IC RF SWITCH SPDT 2.5GHZ 8MSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 射频类型:ISM
• 拓扑:-
• 电路:SPDT
• 频率范围:0Hz ~ 2.5GHz
• 隔离:25dB
• 插损:0.6dB
• 测试频率:2GHz，2.5GHz
• P1dB:28dBm
• IIP3:55dBm
• 特性:-
• 阻抗:50 欧姆
• 电压 - 供电:3V，5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
• 供应商器件封装:8-MSOP
• HMC199AMS8ETR，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。