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零件图片(仅供参考)
HMC194AMS8E
规格参数

HMC194AMS8E是亚德诺半导体(ADI)推出的一款高性能单刀双掷(SPDT)射频开关集成电路。该器件设计用于直流至3GHz的宽频率范围,在2.5GHz测试频率下,能提供低至0.5dB的插入损耗和高达38dB的端口隔离度,有效保障了信号路径的效率与纯净。

其核心优势在于卓越的线性度与功率处理能力,1dB压缩点(P1dB)为29dBm,三阶交调截点(IIP3)达到53dBm,使其非常适合应用于存在高功率或强干扰信号的环境。芯片采用3V至7V单电源供电,提供50欧姆标准阻抗,并封装于紧凑的8-MSOP中,工作温度范围为-40°C至85°C,为各类无线通信、测试测量及国防电子系统提供了高可靠性的射频信号路由解决方案。

  • 制造商产品型号:HMC194AMS8E
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC RF SWITCH SPDT 3GHZ 8MSOP
  • 系列:射频开关
  • 零件状态:有源
  • 射频类型:通用
  • 拓扑:-
  • 电路:SPDT
  • 频率范围:0Hz ~ 3GHz
  • 隔离:38dB
  • 插损:0.5dB
  • 测试频率:2.5GHz
  • P1dB:29dBm
  • IIP3:53dBm
  • 特性:-
  • 阻抗:50 欧姆
  • 电压-供电:3V ~ 7V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
  • HMC194AMS8E,ADI(亚德诺)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:HMC194AMS8E
  • 原始制造厂商:ADI(ANALOG DEVICES,亚德诺半导体)
  • 技术标准参数:IC RF SWITCH SPDT 3GHZ 8MSOP
  • 产品应用分类:射频开关
  • 点击此处查询HMC194AMS8E的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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