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零件图片(仅供参考)
HMC190BMS8E
规格参数

HMC190BMS8E是ADI推出的一款高性能单刀双掷(SPDT)射频开关,采用8-MSOP紧凑封装。其工作频率覆盖直流至3GHz,在2.5GHz下具备0.8dB的低插入损耗和30dB的高端口隔离度,确保了信号路径切换时的高效率与低串扰。

该器件支持3V至8V的宽供电范围,并展现出优异的功率处理能力,其1dB压缩点(P1dB)为29dBm,三阶交调截点(IIP3)高达55dBm,能够满足高线性度应用的需求。其50欧姆标准阻抗、宽工作温度范围(-40°C至85°C)及简洁的控制接口,使其成为无线基础设施、测试设备及通用射频系统中实现信号路由与切换功能的可靠解决方案。

  • 制造商产品型号:HMC190BMS8E
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC RF SWITCH SPDT 3GHZ 8MSOP
  • 系列:射频开关
  • 零件状态:有源
  • 射频类型:通用
  • 拓扑:-
  • 电路:SPDT
  • 频率范围:0Hz ~ 3GHz
  • 隔离:30dB
  • 插损:0.8dB
  • 测试频率:2.5GHz
  • P1dB:29dBm
  • IIP3:55dBm
  • 特性:-
  • 阻抗:50 欧姆
  • 电压-供电:3V ~ 8V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
  • HMC190BMS8E,ADI(亚德诺)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:HMC190BMS8E
  • 原始制造厂商:ADI(ANALOG DEVICES,亚德诺半导体)
  • 技术标准参数:IC RF SWITCH SPDT 3GHZ 8MSOP
  • 产品应用分类:射频开关
  • 点击此处查询HMC190BMS8E的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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