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HMC190AMS8E是亚德诺半导体（ADI）生产的一款SPDT反射式射频开关，工作频率覆盖直流至3GHz。该器件在3GHz下具备0.7dB的低插入损耗和22dB的高隔离度，能有效维持信号完整性并减少通道干扰。

其核心优势在于卓越的线性度，P1dB为29dBm，IIP3高达49dBm，确保了在大功率信号下的低失真性能。芯片采用8-MSOP紧凑封装，供电电压范围为3V至8V，工作温度满足-40°C至85°C的工业标准，适用于要求严苛的WLAN及各类无线通信系统。

• 型号:HMC190AMS8E
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:8-MSOP
• 类目:射频和无线 > 射频开关
• 描述:IC RF SWITCH SPDT 3GHZ 8MSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 射频类型:WLAN
• 拓扑:反射
• 电路:SPDT
• 频率范围:0Hz ~ 3GHz
• 隔离:22dB
• 插损:0.7dB
• 测试频率:3GHz
• P1dB:29dBm
• IIP3:49dBm
• 特性:-
• 阻抗:50 欧姆
• 电压 - 供电:3V ~ 8V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
• 供应商器件封装:8-MSOP
• HMC190AMS8E，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。