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零件图片(仅供参考)

规格参数
HMC182S14TR是亚德诺半导体(ADI)推出的一款高性能吸收式SP4T射频开关集成电路。该器件设计用于0Hz至2GHz的宽频率范围,在2GHz下提供仅0.8dB的低插入损耗和高达32dB的优异通道隔离度,确保信号路径的高效与纯净。
其线性性能突出,1dB压缩点(P1dB)为24dBm,三阶交调截点(IIP3)达41dBm,能够处理较高功率的射频信号并保持出色的信号保真度。采用14-SOIC封装,工作温度范围为-40°C至85°C,为测试测量、无线通信基础设施等应用提供了一个可靠、紧凑的射频信号路由解决方案。

基本参数:
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