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HMC182S14TR是亚德诺半导体（ADI）推出的一款高性能吸收式SP4T射频开关集成电路。该器件设计用于0Hz至2GHz的宽频率范围，在2GHz下提供仅0.8dB的低插入损耗和高达32dB的优异通道隔离度，确保信号路径的高效与纯净。

其线性性能突出，1dB压缩点（P1dB）为24dBm，三阶交调截点（IIP3）达41dBm，能够处理较高功率的射频信号并保持出色的信号保真度。采用14-SOIC封装，工作温度范围为-40°C至85°C，为测试测量、无线通信基础设施等应用提供了一个可靠、紧凑的射频信号路由解决方案。

• 型号:HMC182S14TR
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:14-SOIC
• 类目:射频和无线 > 射频开关
• 描述:IC RF SWITCH SP4T 2GHZ 14SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 射频类型:通用
• 拓扑:吸收
• 电路:SP4T
• 频率范围:0Hz ~ 2GHz
• 隔离:32dB
• 插损:0.8dB
• 测试频率:2GHz
• P1dB:24dBm
• IIP3:41dBm
• 特性:-
• 阻抗:50 欧姆
• 电压 - 供电:-
• 工作温度:-40°C ~ 85°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:14-SOIC
• HMC182S14TR，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。