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HMC182S14E是亚德诺半导体（ADI）推出的一款高性能吸收式SP4T射频开关芯片。该器件工作频率覆盖直流至2GHz，在2GHz测试频率下，实现了0.8dB的低插入损耗和32dB的高通道隔离度，有效保障了信号传输效率并抑制了通道间串扰。

其出色的线性度表现，包括24dBm的P1dB和41dBm的IIP3，使其能够处理较高功率的射频信号，适用于对动态范围有严格要求的应用。该芯片采用14-SOIC封装，具备50欧姆标准阻抗，工作温度范围为-40°C至85°C，为测试测量、通信基础设施等领域的射频信号路径管理提供了可靠的解决方案。

• 型号:HMC182S14E
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:14-SOIC
• 类目:射频和无线 > 射频开关
• 描述:IC RF SWITCH SP4T 2GHZ 14SOIC
• 系列:-
• 包装:带
• 产品状态:停产
• 射频类型:通用
• 拓扑:吸收
• 电路:SP4T
• 频率范围:0Hz ~ 2GHz
• 隔离:32dB
• 插损:0.8dB
• 测试频率:2GHz
• P1dB:24dBm
• IIP3:41dBm
• 特性:-
• 阻抗:50 欧姆
• 电压 - 供电:-
• 工作温度:-40°C ~ 85°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:14-SOIC
• HMC182S14E，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。