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HMC1190LP6GE 零件图片(仅供参考)

HMC1190LP6GE
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HMC1190LP6GE 规格参数

HMC1190LP6GE是亚德诺半导体(ADI)推出的一款高集成度单芯片降频变频器,属于射频混频器系列。该器件采用40-VFQFN表面贴装封装,核心功能是在700MHz至3.5GHz的宽频率范围内,将射频信号下变频至中频,专为LTE、WiMax等无线通信标准优化。

其技术亮点在于集成了双混频器通道,提供8dB的转换增益和9dB的噪声系数,在提升信号强度的同时有效控制了链路噪声。器件支持3.3V或5V单电源供电,典型工作电流为160mA,实现了性能与功耗的平衡。这些特性使其成为无线基础设施接收机中实现高性能下变频功能的紧凑型解决方案。

  • 型号:HMC1190LP6GE
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:40-QFN(6x6)
  • 类目:射频和无线 > 射频混频器
  • 描述:IC DOWNCONVERTER SGL 40-QFN
  • 系列:-
  • 包装:带
  • 产品状态:停产
  • 射频类型:LTE,WiMax
  • 频率:700MHz ~ 3.5GHz
  • 混频器数:2
  • 增益:8dB
  • 噪声系数:9dB
  • 辅助属性:降频变频器
  • 电流 - 供电:160mA
  • 电压 - 供电:3.3V,5V
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:40-VFQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:40-QFN(6x6)
  • HMC1190LP6GE,ADI(亚德诺)产品一站式供应商。
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HMC1190LP6GE 基本参数:

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