ADI代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
HMC1118LP3DE是ADI公司生产的一款宽带、高性能SPDT吸收式射频开关芯片。该器件采用GaAs pHEMT工艺，在9kHz至13GHz的超宽频率范围内工作，提供低至2dB的插入损耗和高达50dB的端口隔离度，确保了优异的信号传输效率与通道间隔离性能。
其核心优势在于卓越的功率处理能力和线性度，1dB压缩点（P1dB）为37dBm，输入三阶交调截点（IIP3）达到62dBm，使其能够胜任高功率和多载波应用，有效抑制互调失真。芯片采用3V至3.6V单电源供电，集成50欧姆匹配端口，并封装于紧凑的16-VFQFN中，工作温度范围为-40°C至85°C，为VSAT、测试测量、军用通信等宽带射频系统提供了高可靠性的信号路径切换解决方案。
基本参数：
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