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HMC1118LP3DE是ADI公司生产的一款宽带、高性能SPDT吸收式射频开关芯片。该器件采用GaAs pHEMT工艺，在9kHz至13GHz的超宽频率范围内工作，提供低至2dB的插入损耗和高达50dB的端口隔离度，确保了优异的信号传输效率与通道间隔离性能。

其核心优势在于卓越的功率处理能力和线性度，1dB压缩点（P1dB）为37dBm，输入三阶交调截点（IIP3）达到62dBm，使其能够胜任高功率和多载波应用，有效抑制互调失真。芯片采用3V至3.6V单电源供电，集成50欧姆匹配端口，并封装于紧凑的16-VFQFN中，工作温度范围为-40°C至85°C，为VSAT、测试测量、军用通信等宽带射频系统提供了高可靠性的信号路径切换解决方案。

• 型号:HMC1118LP3DE
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:16-LFCSP（3x3）
• 类目:射频和无线 > 射频开关
• 描述:IC RF SWITCH SPDT 13GHZ 16LFCSP
• 系列:-
• 包装:带
• 产品状态:在售
• 射频类型:VSAT
• 拓扑:吸收
• 电路:SPDT
• 频率范围:9kHz ~ 13GHz
• 隔离:50dB
• 插损:2dB
• 测试频率:3GHz，13GHz
• P1dB:37dBm
• IIP3:62dBm
• 特性:-
• 阻抗:50 欧姆
• 电压 - 供电:3V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:16-VFQFN 焊盘，CSP
• 供应商器件封装:16-LFCSP（3x3）
• HMC1118LP3DE，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。