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HMC-ALH435是亚德诺半导体（ADI）推出的一款宽频带、低噪声射频放大器裸片，工作频率覆盖5GHz至20GHz。该器件基于GaAs pHEMT工艺，专为要求高动态范围和低噪声系数的微波应用而设计。

其核心优势在于在超宽频带内实现了优异的性能平衡：提供13dB增益的同时，噪声系数低至2.2dB，输出1dB压缩点达到16dBm。此外，该芯片仅需单5V电源供电，功耗极低，典型工作电流为30mA，非常适合集成于对尺寸和功耗有严格限制的现代射频系统中。

• 型号:HMC-ALH435
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:模具
• 类目:射频和无线 > 射频放大器
• 描述:IC RF AMP VSAT 5GHZ-20GHZ DIE
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 频率:5GHz ~ 20GHz
• P1dB:16dBm
• 增益:13dB
• 噪声系数:2.2dB
• 射频类型:VSAT
• 电压 - 供电:5V
• 电流 - 供电:30mA
• 测试频率:5GHz ~ 20GHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:模具
• 供应商器件封装:模具
• HMC-ALH435，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。